• А
  • Б
  • В
  • Г
  • Д
  • Е
  • Ж
  • З
  • И
  • Й
  • К
  • Л
  • М
  • Н
  • О
  • П
  • Р
  • С
  • Т
  • У
  • Ф
  • Х
  • Ц
  • Ч
  • Ш
  • Щ
  • Ф
  • Э
  • Ю
  • Я
  • Лавель Луи

    Лавель (Lavelle) Луи (15.7.1883), Сен-Мартен-де-Вильреаль, - 1.9.1951, там же), французский философ, один из основоположников "философии духа". Профессор в Коллеж де Франс (с 1941), член Академии…



    Ла-Вента

    Ла-Вента (la Venta), культовый центр ольмекской культуры на острове в устье р. Тонала в штате Тобаско (Мексика). Расцвет - 8-4 вв. до н. э. Включает несколько пирамид (высотой до 35 м), множество…



    Лаверан Шарль Луи Альфонс

    Лаверан (Laveran) Шарль Луи Альфонс (18.6.1845, Париж, - 18.5.1922, там же), французский врач, прогистолог и эпидемиолог, член Парижской АН (1901) и Французской медицинской академии (1893)…



    Лавина

    Лавина (нем. Lawine, от познелат. labina - оползень), снежный обвал, массы снега на горных склонах, пришедшие в движение, скользящие и низвергающиеся. Возникновение Л. возможно во всех горных районах…



    Лавинно-пролётный полупроводниковый диод

    Лавинно-пролётный полупроводниковый диод (ЛПД), полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением, возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие…



    Лавинный транзистор

    Лавинный транзистор, транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода. Для изготовления Л. т. используются эпитаксиальные структуры р+-р и n+-n; базовая область Л. т. создаётся методом диффузии (см. Эпитаксия, Полупроводниковая электроника). Особенность Л. т. — возможность получения отрицательного сопротивления в цепи "эмиттер — коллектор" и быстрое нарастание силы тока в этой цепи. Л. т. применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких а) со временем нарастания импульса менее 10-9 сек. Возможность генерирования Л. т. коротких импульсов с частотой повторения до 100 Мгц используется в устройствах совпадения импульсов и в стробоскопических осциллографах. Наличие участка отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике Л. т. и малое эффективное значение времени пролёта носителей заряда от эмиттера к коллектору позволяют применять его также в генераторах и усилителях электрических колебаний дециметрового и сантиметрового диапазонов волн.

    Ю. А. Кузнецов.

     

    Транзистор

    Транзистор (от англ. transfer - переносить и resistor - сопротивление), электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и…

    Ионизация

    Ионизация, образование положительных и отрицательных ионов и свободных электронов из электрически нейтральных атомов и молекул. Термином "И." обозначают как элементарный акт (И. атома, молекулы), так…

    Эпитаксия

    Эпитаксия (от эпи... и греч. taxis - расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего…

    Полупроводниковая электроника

    Полупроводниковая электроника, отрасль электроники, занимающаяся исследованием электронных процессов в полупроводниках и их использованием - главным образом в целях преобразования и передачи…

    Отрицательное сопротивление

    Отрицательное сопротивление, отрицательное дифференциальное сопротивление, свойство некоторых элементов электрических цепей, выражающееся в уменьшении падения напряжения U на них при увеличении…

    Осциллограф

    Осциллограф (от лат. oscillo - качаюсь и...граф) электроннолучевой, прибор для наблюдения функциональной связи между двумя или несколькими величинами (параметрами и функциями; электрическими или…