• А
  • Б
  • В
  • Г
  • Д
  • Е
  • Ж
  • З
  • И
  • Й
  • К
  • Л
  • М
  • Н
  • О
  • П
  • Р
  • С
  • Т
  • У
  • Ф
  • Х
  • Ц
  • Ч
  • Ш
  • Щ
  • Ф
  • Э
  • Ю
  • Я
  • Вайян-Кутюрье Мари Клод

    Вайян-Кутюрье (Vaillant-Couturier) Мари Клод (р. 3.11.1912, Париж), деятель французского и международного демократического женского движения. Была женой П. Вайяна-Кутюрье. С начала 30-х гг. - в…



    Вайян-Кутюрье Поль

    Вайян-Кутюрье (Vaillant-Couturier) Поль (8.1.1892, Париж, - 10.10.1937, там же), французский писатель, деятель коммунистического движения. Родился в семье артистов. Окончил юридический факультет…



    Вайян Роже

    Вайян (Vailland) Роже (16.10.1907, Аси-ан-Мюльтьен, департамент Уаза, - 12.5.1965, близ г. Бурк-ан-Брес), французский писатель и общественный деятель. Член Французской компартии с 1952. Издавал…



    Вайян Эдуар Мари

    Вайян (Vaillant) Эдуар Мари (29.1. 1840, Вьерзон, - 18.12.1915, Париж), деятель французского социалистического движения. Последователь Л. О. Бланки. По образованию врач и инженер. В период учёбы в…



    Вакамацу

    Вакамацу, город в Японии, на С. о. Кюсю, у Симоносекского пролива, в префектуре Фукуока. 107 тыс. жителей. (1961). С 1965 входит в состав г. Китакюсю (вместе с гг. Явата, Модзи, Кокура, Тобати)…



    Вакансия (дефект кристалла)

    Вакансия, дефект по Шотки, дефект кристалла, представляющий собой отсутствие атома или иона в узле кристаллической решётки (рис. 1). В. имеются во всех кристаллах, как бы тщательно эти кристаллы ни выращивались. В реальном кристалле В. возникают и исчезают в результате теплового движения атомов. Механизм образования В. можно представить как выход атомов поверхностного слоя на поверхность с последующим переходом возникающих поверхностных "дырок" (рис. 2, а, б, в). При этом вместо связи с тремя соседними атомами остаётся только одна связь, а две другие разрываются. Следовательно, работа, необходимая для образования В., равна энергии двух связей.

    В. беспорядочно перемещаются в кристалле, обмениваясь местами с соседними атомами. Движение В. является главной причиной перемешивания (самодиффузии) атомов в кристалле, а также взаимной диффузии контактирующих кристаллов. Каждой температуре соответствует определённая равновесная концентрация В. Количество В. в кристаллах металлов вблизи температуры плавления достигает 1—2% от числа атомов. При комнатной температуре у алюминия одна В. приходится на 1012 атомов, а у таких металлов, как серебро и медь, количество В. при комнатной температуре ещё меньше. Однако, несмотря на малую концентрацию, В. существенно влияют на физические свойства кристалла: понижают плотность, вызывают ионную проводимость и др. В. играют важную роль в процессах термообработки, отдыхе металлов, рекристаллизации металлов, спекании и др. процессах.

    Лит.: Уэрт Ч., Томсон P., Физика твёрдого тела, пер. с англ., М., 1966; Киттель Ч., Введение в физику твёрдого тела, пер. с англ., 2 изд., М., 1963.

     

    Отдых металлов

    Отдых металлов, начальная стадия процесса возврата металлов при их низкотемпературном (до 0,05`0,2 Тпл) нагреве после деформации или радиационного облучения и связанная с перераспределением точечных…

    Рекристаллизация

    Рекристаллизация, процесс образования и роста (или только роста) одних кристаллических зёрен (кристаллитов) поликристалла за счёт других той же фазы. Скорость Р. резко (экспоненциально) возрастает с…

    Спекание

    Спекание в технике, процесс получения твёрдых и пористых материалов (изделий) из мелких порошкообразных или пылевидных материалов при повышенных температурах; часто при С. меняются также…